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HSEM系列電磁鐵霍爾效應測試系統由電磁鐵、霍爾測試儀、控制器、樣品變溫選件等部分組成。根據選取配置不同可實現±1.5T的磁場、10K樣品溫度、1273K樣品溫度等性能。具有磁場範圍大、溫區廣等特點。可滿足客戶在不同溫度或不同磁場下對材料的電阻率、載流子濃度、載流子類型、霍爾係數、電子遷移率等參數進行測量。

系統特點：
• 具有陆续在可變的磁場環境，可選±0.8T或±1.5T兩種配置
• 具有較豐富的溫度選件，包含：室溫、液氮單點、10K-400K閉循環低溫選件、室溫-1273K高溫選件
• 遷移率範圍：0.01-10^6
• 可測樣品電阻範圍：10mΩ-100GΩ
• 載流子濃度：8 × 102 到 8 × 1023 cm-3
• 室溫屏蔽盒為樣品给予室溫測試環境，给予多種室溫樣品卡，滿足各種規格的樣品的霍爾測試。
• 可顺利获得滑軌快速切換低溫恆溫器與室溫屏蔽盒，可快速切換樣品或更換樣品環境，提高換樣效率。

測試材料：
• 熱電材料：碲化鉍、碲化鉛、矽鍺合金等
• 光伏材料/太陽能電池：（A矽（單晶矽、非晶矽）CIGS（銅銦鎵硒）、碲化鎘、鈣鈦礦等）
• 有機材料：（OFET、OLED）
• 透明導電金屬氧化物TCO：（ITO、AZO、ZnOIGZO（銦鎵鋅氧化物）等）
• 半導體材料：SiGe、InAs、SiC、InGaAs、GaN、SiC、InP、ZnO、Ga2O3等
• 二維材料：石墨烯、BN、MoS2

參數和指標：