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陆续在流液氦低溫探針台 PSM-LHe系列

陆续在流液氦低溫探針台 PSM-LHe系列

PSM-LHe系列陆续在流液氦低溫探針台能夠為半導體晶片的電學參數測試给予一個1.6K-450K高低溫真空測試環境,顺利获得外接不同的電學測量儀器,可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數檢測,用於低溫真空環境下的晶片、晶圓和器件的非破壞性電學測試。

陆续在流液氦低溫探針台 PSM-LHe系列產品概述

液氦低溫探針台在科學研究和技術開發中發揮着至關重要的作用。它能夠在低溫環境下對樣品進行各種非破壞性的物理性能和電學性能測試,幫助研究人員深入分析材料或者器件的各種物理性能和電學性能,從而為新材料的研發和應用给予重要的數據支持。


PSM-LHe系列液氦低溫探針台能夠為半導體晶片的電學參數測試给予一個1.6K-450K高低溫真空測試環境,顺利获得外接不同的電學測量儀器,可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數檢測,用於低溫真空環境下的晶片、晶圓和器件的非破壞性電學測試。


特點

• 液氦低溫真空探針台,腔體真空度可達到10E-4torr。

• 探針臂的位移調節在真空腔外操作,可以在不破壞真空的情況下,切換樣品上的不同器件進行測試。

• 獨特的探針臂 X-Y-Z-R四維調節,能滿足最大4英寸樣品的測試。最多可同時安裝6個探針臂,探針臂可選直流臂、光纖臂、微波臂等。

• 真空腔材質為鋁製材料,能夠有效減小外界的電磁干擾提高測試的精準度和穩定性。

• 探針臂採用三同軸接頭,漏電性能好,實測漏電流小於30fA@1V@1.6K--450K。

• 測試溫度範圍寬,最大支持1.6K-450K陆续在變溫。

陆续在流液氦低溫探針台 PSM-LHe系列技術參數

參數和指標:

探針台主機分類
型號
PSM-LHe-2
 PSM-LHe-4
溫度範圍
1.6K--450K
1.6K--450K
控溫穩定性
+/-50mK
樣品座
類型及材料
無氧銅接地鍍金樣品座
尺寸2寸4寸
可選規格
絕緣樣品座 (溫度只能到400K)
同軸樣品座 (溫度只能到400K)
 三同軸樣品座(溫度只能到400K)
探針臂
類型
直流探針臂(標準)
可訂製規格
微波探針臂、光纖探針臂、熱電偶探針臂
數量4
接頭及電纜
三同軸接頭+極細同軸低溫電纜
漏電流
30fA@1V 真空環境中
信號頻率
DC--50MHz
匹配阻抗
50歐姆
位移範圍X+/- 12.5mm,Y+/- 50mm 
Z +/-7.5mm, R+/-10°
X+/- 12.5mm,Y+/- 50mm 
Z +/-7.5mm, R+/-10°
光學系統
顯微鏡放大倍數
500倍
解像度
小於2微米
視場
最大22mm
工作距離
90--100mm
真空腔
材料
鋁合金
真空腔尺寸
8英寸
視窗尺寸
2英寸
4英寸
真空腔體窗口
紅外吸收窗口
內層
標準石英窗口
真空度
 5E-4 torr
預留接口 
2個探針臂接口&2個電學接口
防輻射屏材料
不鏽鋼
專用振動隔離桌
 尺寸
800*800*800
900*900*800
桌推
 固定腳&滾輪
減振重力減振&氣浮減振墊