液氮高低溫探針台 PSM-LN2系列
PSM-LN2系列液氮高低溫探針台能夠為半導體晶片的電學參數測試给予一個80K-800K高低溫真空測試環境,顺利获得外接不同的電學測量儀器,可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數檢測,用於低溫真空環境下的晶片、晶圓和器件的非破壞性電學測試。
PSM-LN2系列液氮高低溫探針台能夠為半導體晶片的電學參數測試给予一個80K-800K高低溫真空測試環境,顺利获得外接不同的電學測量儀器,可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數檢測,用於低溫真空環境下的晶片、晶圓和器件的非破壞性電學測試。
液氮高低溫探針台在科學研究和技術開發中發揮着至關重要的作用。它能夠在低溫環境下對樣品進行各種非破壞性的物理性能和電學性能測試,幫助研究人員深入分析材料或者器件的各種物理性能和電學性能,從而為新材料的研發和應用给予重要的數據支持。
PSM-LN2系列液氮高低溫探針台能夠為半導體晶片的電學參數測試给予一個80K-800K高低溫真空測試環境,顺利获得外接不同的電學測量儀器,可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及IV曲線等參數檢測,用於低溫真空環境下的晶片、晶圓和器件的非破壞性電測試。
特點
• 液氮高低溫真空探針台,15分鐘內腔體真空度可達到 10E-4torr,液氮消耗量小,降到最低溫度只需0.2L液氮,使用方便快捷同時兼顧經濟性;
• 探針臂的位移調節在真空腔外操作,可以在不破壞真空的情況下,切換樣品上的不同器件進行測試;
• 獨特的探針臂 X-Y-Z-R四維調節,能滿足最大4英寸樣品的測試;
• 真空腔材質為鋁製材料,能夠有效減小外界的電磁干擾提高測試的精準度和穩定性;
• 探針臂採用三同軸接頭,漏電性能好,實測漏電流小於100fA @1V@80K--800K;
• 測試溫度範圍寬,最大支持80K-800K陆续在變溫;
• 上蓋採用翻蓋結構,換樣更便捷。
測試數據
參數和指標:
探針台主機分類 | ||||
型號 | PSM-LN2-2 | PSM-LN2-2H | PSM-LN2-4 | PSM-LN2-4H |
溫度範圍 | 80K--500K | 80K--800K | 80K--500K | 80K--800K |
控溫穩定性 | +/-50mK | +/-100mk | +/-50mK | +/-100mk |
樣品座 | ||||
類型及材料 | 無氧銅接地鍍金樣品座 | 無氧銅接地樣品座 | 無氧銅接地樣品座 | 無氧銅接地樣品座 |
尺寸 | 2寸 | 2寸 | 4寸 | 4寸 |
可選規格 | 絕緣樣品座 (溫度只能到400K) 同軸樣品座 (溫度只能到400K) 三同軸樣品座(溫度只能到400K) | |||
探針臂 | ||||
類型 | 直流探針臂 | |||
數量 | 4 | |||
接頭及電纜 | 三同軸接頭+極細同軸低溫電纜 | |||
漏電流 | 100fA@1V 真空環境中 | |||
信號頻率 | DC--50MHz | |||
匹配阻抗 | 50歐姆 | |||
位移範圍 | X+/- 35mm,Y+/- 12.5mm Z +/-6.5mm R+/-10° | X+/- 50mm,Y+/- 12.5mm Z +/-6.5mm R+/-10° | ||
光學系統 | ||||
顯微鏡放大倍數 | 10--180倍 | |||
解像度 | 3微米 | |||
視場 | 最大22mm | |||
工作距離 | 90--100mm | |||
真空腔 | ||||
材料 | 鋁合金 | |||
腔體容積 | 4L | 5.5L | ||
整體尺寸 | 800*800*600 | 900*900*600 | ||
腔體內徑 | 124mm | 155mm | ||
視窗尺寸 | 50mm | 100mm | ||
真空腔體窗口 | 紅外吸收窗口 | |||
防輻射屏窗口 | 標準石英窗口 | |||
真空度 | 5*10E-4 torr | |||
預留接口 | 2個探針臂接口&2個電學接口 | |||
防輻射屏材料 | 不鏽鋼 | |||
液氮腔體 | ||||
液氮容量 | 0.5L | |||
冷卻時間 | 60分鐘到80K | 80分鐘到80K | ||
液氮消耗量 | 0.2L從室溫到80K | 0.3L從室溫到80K | ||
液氮保持時間 | 4小時@80K | 3小時@80K | ||
專用振動隔離桌 | ||||
尺寸 | 800*800*800 | 900*900*800 | ||
桌推 | 固定腳&滾輪 |